|
|
Локтєв В.М.
Допанти і домішки у високотемпературних надпровідниках / В.М. Локтєв, Ю.Г. Погорєлов ; Ін-т теоретичної фізики імені М.М. Боголюбова НАН України. — K. : Академперіодика, 2015. — 181 с., 2 с. іл. (Ум. друк. арк. 14,8 + 0,2 вкл. ; Обл.-вид. арк. 15,8). — 300 пр. — ISBN 978-966-360-279-0. — (Проект "Українська наукова книга іноземною мовою").
Монографію присвячено специфічним фізичним властивостям великого сімейства надпровідних матеріалів з високою критичною температурою переходу, до якої входять доповані шаруваті мідно-кисневі перовскіти і подібні речовини. Теоретична трактовка, що спирається на використання спеціальної техніки двочасових функцій Гріна, забезпечує повну інформацію стосовно структури основного стану цих матеріалів, а також їх квазічастинкового спектру (дозволяючи розрізняти хвилеподібні та локалізовані стани). Проведено аналіз двох конкуруючих ефектів домішкових центрів: як допантів, які поставляють заряджені носії і викликають металізацію, так і центрів розсіювання носіїв, що спричиняють їх локалізацію.
Книга розрахована на фахівців в галузі фізики твердого тіла — теоретиків та експериментаторів, а також аспірантів і студентів старших курсів, які спеціалізуються в галузі фізики надпровідності, у фізиці невпорядкованих систем і фізиці низьких температур.
|
